Одиночные лазерные излучатели II-VI Laser Enterprise - это лазерные диоды, разработанные для получения высокой выходной мощности излучения, высокой эффективности передачи мощности оптического излучения, а также высокой надежности и стабильности. Эти требования являются ключевыми в современных системах накачки твердотельных и волоконных лазеров, а также при прямом применении излучения лазрных диодов. Собственная запатентованная технология пассивации при создании выходного зеркала, разработанная в Цюрихе, предотвращает разрушения передней грани лазерного диода даже при чрезвычайно высокой оптической мощности. Одиночные чипы лазерных диодов монтированы p-стороной вниз на оптимизированные сабмаунты, что обеспечивает крайне низкое сопротивление теплопередаче.
Особенности серии:
- Длина волны: 803 / 806 / 808 нм
- Мощность: 4 Вт
- Ширина излучателя: 90 мкм
- Лазерный диод 3.6 x 0.4 мм
- Высоконадежная структура с одиночной квантовой ямой, созданная с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии
Опции для заказа:
- SES4-808A-01: 4W 806 ± 3 nm
- SES4-808B-01: 4W 803 ± 3 nm
- SES4-808C-01: 4W 808 ± 2.5 nm
Официальный дистрибьютор II-VI в РФ и странах Таможенного Союза АО «ЛЛС» предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции II-VI, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.
Одиночные лазерные излучатели II-VI - это лазерные диоды, разработанные для получения высокой выходной мощности излучения, высокой эффективности передачи мощности оптического излучения, а также высокой надежности и стабильности. Эти требования являются ключевыми в современных системах накачки твердотельных и волоконных лазеров, а также при прямом применении излучения лазерных диодов. Собственная запатентованная технология пассивации при создании выходного зеркала, разработанная в Цюрихе, предотвращает разрушения передней грани лазерного диода даже при чрезвычайно высокой оптической мощности. Одиночные чипы лазерных диодов монтированы p-стороной вниз на оптимизированные сабмаунты, что обеспечивает крайне низкое сопротивление теплопередаче.
Особенности серии:
- Длина волны: 803 / 806 / 808 нм
- Мощность: 4 Вт
- Ширина излучателя: 90 мкм
- Лазерный диод 3.6 x 0.4 мм
- Высоконадежная структура с одиночной квантовой ямой, созданная с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии
Опции для заказа:
- SES4-808A-01: 4W 806 ± 3 nm
- SES4-808B-01: 4W 803 ± 3 nm
- SES4-808C-01: 4W 808 ± 2.5 nm
АО «ЛЛС» является официальным дистрибьютором компании II-VI на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов. Компания «ЛЛС» гарантирует Вам высокое качество и быструю доставку компонентов.
Длина волны (нм)
|
803 - 808 |
Ширина спектральной линии FWHM (нм)
|
2 |
Ширина излучателя (мкм)
|
90 |
Расходимость пучка θ⊥×θ∥, FWHM
|
27° x 6° |
Пороговый ток (мА)
|
600 |
Поляризация
|
Te |
Дифференциальная эффективность (Вт/А)
|
1.1 |
Температурная зависимость длины волны (нм/C°)
|
0.3 |
Мощность (Вт)
|
4 |
Эффективность преобразования (%)
|
50 |
Рабочий ток (А)
|
4 |
Рабочее напряжение (В)
|
1.9 |
Ширина чипа (мкм)
|
400 |
Длина резонатора (мкм)
|
3600 |
Толщина чипа (мкм)
|
150 |
Размеры сабмаунта (мм)
|
3.9 x 4.05 |
- Накачка твердотельных лазеров
- Медицина
- Анализ
- Печать