Tm:YLF имеет пики поглощения, удобно расположенные для диодной накачки около 792 нм, и он демонстрирует процесс кросс-релаксации, который создает два иона на верхнем лазерном уровне для каждого поглощенного фотона накачки. Лазеры Tm3 +: YLF идеально подходят для использования в качестве источника накачки для лазеров Ho: YAG. Это связано с хорошим перекрытием спектров эмиссии Tm3 +: YLF и Ho3 +: YAG и способности создавать линейно поляризованное излучение. Более того, показатель преломления Tm3 +: YLF уменьшается с температурой, что образует отрицательную тепловую линзу в среде, которая частично компенсируется эффектом положительной линзы из-за выпуклости торца.
Характеристики генерационных переходов
Кристаллы | Длина волны генерации, нм | Ширина линии генерации | Сечение генерационного перехода, 10-19 см2 | Время жизни верхнего лазерного уровня, мкс | Интенсивность насыщения Is, кВт/см2 | |
Tm:YLF | 3F4 – 3H6 | 1910 | - | 0.0235 | 15600 | 2.78 |
1880 | - | 0.037 | 15600 | 1.83 | ||
3H4 – 3H5 | 2350 | - | - | - | - |
Параметры кристалла Tm:YLF фирмы Altechna
Атомарная концентрация Tm | -% |
Качество поверхности | 10-5 S-D |
Диаметр апертуры | 1x1 – 15x15 мм |
Плоскостность поверхности | <λ/10 @ 632.8 нм |
АО «ЛЛС» является официальным дистрибьютором компании Altechna на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.
Химическая формула
|
Tm3+:LiYF4 |
Атомарная концентрация Tm
|
– |
Кристаллическая структура
|
тетрагональная сингония |
Стандартная ориентация кристалла
|
- |
Плотность
|
3.95 г/см3 |
Твёрдость по Моосу
|
4 - 5 |
Теплопроводность
|
6 Вт/(м×K) |
Коэффициенты линейного расширения
|
∥с–8.3×10-6 К-1,⊥ c–13.3×10-6 К-1 |
Теплоемкость
|
0.79 Дж/(г×K) |
Диапазон прозрачности
|
0.12 – 75 мкм |
Показатель преломления
|
no =1.448, ne = 1.47 @ 1890 нм |
dn/dT
|
dnπ/dT = 4.3×10-6 К-1, dnσ/dT = 2.0 ×10-6 К-1 |
Линейный коэффициент поглощения
|
- |
Схема лазерных уровней
|
квазитрехуровневая |
Лазерный переход
|
4I11/2 →4I13/2 |
Длина волны накачки
|
792 нм |
Энергия фотона
|
6,75×10-20 Дж (для 2940 нм) |
Сечение поглощения
|
π - 0.08×10-19 см2, σ - 0.036×10-19 см2 |